信息存储应用技术
  • 一种多芯片共用晶圆测试电路的制作方法
    本发明属于晶圆测试,具体涉及一种多芯片共用晶圆测试电路。随着半导体工艺的不停进步,在摩尔定律的驱动下,闪存类半导体产品的芯片面积及测试成本在不断缩减。而半导体芯片测试,尤其晶圆测试对保证产品性能、提升产品质量起着至关重要的作用,占产品总成本15%-20%的测试投入,直接决定着产品的...
  • 自动测试SSD不同电源状态影响的方法及装置与流程
    本发明涉及到SSD领域,特别是涉及到一种自动测试SSD不同电源状态影响的方法及装置。SSD电源状态,简称为PS,一般有5种状态:PS0、PS1、PS2、PS3、PS4,SSD处于不同的电源状态下,SSD的功耗会不一样。同时SSD的电源状态在进行切换或者切换后进行读写的过程中,往往会发生很多...
  • 移位寄存器、栅极驱动电路以及显示设备的制作方法
    本发明涉及显示,尤其涉及一种移位寄存器、栅极驱动电路以及显示设备。在显示领域,为了不断改善显示画面,提高用户体验,高清、高ppi、窄边框显示成了研究的热门,但随着像素数目的提高,移位寄存器在一帧时间内所需扫描的行数增加,这就要求单级GOA的版图面积要更小,电路结构需要更简单。因此,...
  • 电子装置、非暂时性计算机可读存储介质以及控制方法与流程
    本申请要求于2018年2月26日提交的申请号为10-2018-0022816的韩国申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。各个实施例总体涉及一种电子装置,并且更特别地,涉及一种包括非暂时性计算机可读存储介质的电子装置。电子装置是能够处理数据并且可包括存储器系统的电子系统。存储器系...
  • 存储器系统及其操作方法与流程
    本申请要求于2018年2月27日提交的申请号为10-2018-0023817的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用并入本文。本发明的各个实施例总体涉及一种存储器系统。更特别地,实施例涉及一种包括非易失性存储器装置和控制器的存储器系统及该存储器系统的操作方法。计算机环境范例已...
  • 位准移位器与半导体装置的制作方法
    本发明有关于一种位准移位器(levelshifter),特别是有关于快闪存储器等半导体存储器装置所使用的位准移位器(位准转换电路)。随着半导体设计的微型化,用于驱动半导体器件的工作电压也随之降低,并且提供至半导体装置的电源电压(Vdd)也跟着低压化。例如,自半导体存储器外部供应的电源电压...
  • 半导体存储器装置和与操作半导体存储器装置有关的方法与流程
    本公开总体上涉及电子装置,并且更具体地,涉及一种半导体存储器装置和与操作该半导体存储器装置有关的方法。存储器装置可按照其中在半导体基板上水平地布置串的二维结构形成,或者按照其中在半导体基板上垂直地布置串的三维结构形成。三维半导体装置是为了克服二维半导体装置中的集成度限制而设计的存储器装置,...
  • 存储器系统及其操作方法与流程
    本申请要求于2018年2月26日提交的、申请号为10-2018-0022796的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。本发明的各个示例性实施例涉及一种存储器系统,更特别地,涉及一种能够防止读取失败的存储器系统及其操作方法。出现的计算机环境范例是普适计算,即可以在任何时间...
  • 非易失性存储器设备及其操作方法与流程
    本申请根据35U.S.C.§119要求于2018年2月26日在韩国知识产权局提交的第10–2018-0022968号韩国专利申请的优先权的权益,其公开内容通过引用全部并入本文。本发明构思涉及存储器设备,并且更具体地,涉及执行包括验证操作的编程操作的非易失性存储器设备。半导体存储器设...
  • 非易失性存储器器件及其操作方法与流程
    该美国非临时专利申请根据35U.S.C.§119要求于2018年2月26日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2018-0023162号的优先权,其公开通过引用整体合并于此。本公开涉及非易失性存储器器件和存储设备。更具体地,本公开涉及操作非易失性存储器器件的方法和包括该非易失性存储器...
  • 半导体存储装置及存储器系统的制作方法
    本申请案享有以日本专利申请案2018-32989号(申请日:2018年2月27日)及日本专利申请案2018-192037号(申请日:2018年10月10日)为基础申请案的优先权。本申请案是通过参照这些基础申请案而包含基础申请案的全部内容。本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及存储器系统。...
  • 一种忆阻器电路的制作方法
    本发明属于电路设计,涉及一种忆阻器电路,具体涉及实现符合忆阻器电压、电流关系的硬件模拟电路。忆阻器是用来描述磁通量和电荷关系的二端无源器件,是一种具有记忆功能的新型非线性电阻,它的电阻大小由流经其内部电荷的方向和数量决定,所以能记忆每时每刻流经的电荷量,从而具备了记忆性。由于拥有超...
  • 操作电阻存储装置的方法、电阻存储装置和存储系统与流程
    本申请要求于2018年2月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0023899号韩国专利申请的优先权,该专利申请的公开通过引用被整体合并于此。本发明构思涉及一种非易失性存储装置,并且更具体地涉及一种能够减少写入等待时间的电阻存储装置以及操作其的方法和存储系统。非易失性存储装...
  • 半导体存储器件的制作方法
    本申请要求2018年2月26日提交的申请号为10-2018-0022737的韩国专利申请的优先权,其公开内容通过引用整体合并于此。本发明的各种示例性实施例涉及一种半导体设计技术,更具体地,涉及一种包括共用全局线的多个存储体的半导体存储器件。当从存储器控制器输入激活命令时,存储器件可...
  • 地址和命令发生电路以及半导体系统的制作方法
    本申请要求于2018年2月26日提交的申请号为10-2018-0023011的韩国专利申请的优先权,该申请的公开内容通过引用整体并入本文。本公开的实施例总体而言可以涉及一种地址和命令发生电路以及一种半导体系统,并且更具体地涉及一种用于在接收到地址和命令时产生内部地址和内部命令的技术。背景技...
  • 公共升压辅助的制作方法
    本公开涉及公共升压辅助,更特别地,涉及用于存储器器件的写入和读取操作的公共升压辅助的电路和方法。存储器器件被用作计算机或其他电子器件中的内部存储区域。用于在计算机中存储数据的一种特定类型的存储器是随机存取存储器(RAM)。RAM通常用作计算机环境中的主存储器,并且通常是易失性的,因为一旦关...
  • 一种具有自校准功能的MRAM读出电路的制作方法
    本发明属于半导体芯片存储器领域,尤其涉及一种具有自校准功能的MRAM读出电路。磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度,且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写,还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。...
  • 存储单元、存储器以及数据写入方法与流程
    本申请涉及存储器领域,具体而言,涉及一种存储单元、存储器以及数据写入方法。MTJ(磁性隧道结)是基于磁性隧道磁阻(TMR)效应的器件,一般包括两层磁性层和介于磁性层中间的介质层。第一磁性层磁化取向固定(固定层),而第二磁性层磁化取向可通过磁场或电流改变(自由层),进而使两层磁性层处于平行或...
  • 一种MRAM读出电路的制作方法
    本发明属于半导体芯片存储器领域,尤其涉及一种MRAM读出电路。磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度,且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写,还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。MRAM具有很好...
  • 一种采用全耗尽绝缘硅FD-SOI场效应管的MRAM存储芯片的制作方法
    本发明属于半导体芯片存储,尤其涉及一种采用全耗尽绝缘硅FD-SOI场效应管的MRAM存储芯片。磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度,且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写,还可以像Flash闪存一...
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